Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze > APT27HZTR-G1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6467233Obraz APT27HZTR-G1.Diodes Incorporated

APT27HZTR-G1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2000+
$0.081
6000+
$0.073
10000+
$0.065
50000+
$0.054
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT27HZTR-G1
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS NPN 450V 0.8A TO92
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    APT27HZTR-G1.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    450V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    500mV @ 40mA, 200mA
  • Typ tranzystora
    NPN
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-92
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    800mW
  • Opakowania
    Tape & Box (TB)
  • Package / Case
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Inne nazwy
    APT27HZTR-G1DITB
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    24 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    -
  • szczegółowy opis
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 800mA 800mW Through Hole TO-92
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    6 @ 300mA, 10V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    10µA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    800mA
  • Podstawowy numer części
    APT27

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT27HZTR-G1”.
APT29F80J

APT29F80J

Opis: MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT2X100D100J

APT2X100D100J

Opis: DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GT120BRG

APT25GT120BRG

Opis: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT28F60S

APT28F60S

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT29F100B2

APT29F100B2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT28M120B2

APT28M120B2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT27GA90BD15

APT27GA90BD15

Opis: IGBT 900V 48A 223W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT29F100L

APT29F100L

Opis: MOSFET N-CH 1000V 30A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

Opis: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT25SM120B

APT25SM120B

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT26F120L

APT26F120L

Opis: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT28M120L

APT28M120L

Opis: MOSFET N-CH 1200V 29A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25SM120S

APT25SM120S

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT26F120B2

APT26F120B2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

Opis: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

Opis: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25M100J

APT25M100J

Opis: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT28F60B

APT28F60B

Opis: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT2X100D120J

APT2X100D120J

Opis: DIODE MODULE 1.2KV 93A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.