Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT29F100L
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2561040Obraz APT29F100L.Microsemi

APT29F100L

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT29F100L
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 1000V 30A TO264
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-264
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    460 mOhm @ 16A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1040W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-264-3, TO-264AA
  • Inne nazwy
    APT29F100LMI
    APT29F100LMI-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    8500pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    260nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1000V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1000V 30A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)
APT2X100D30J

APT2X100D30J

Opis: DIODE MODULE 300V 100A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT2X100D20J

APT2X100D20J

Opis: DIODE MODULE 200V 100A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

Opis: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT2X100DQ100J

APT2X100DQ100J

Opis: DIODE MODULE 1KV 100A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT27HZTR-G1

APT27HZTR-G1

Opis: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
APT28M120L

APT28M120L

Opis: MOSFET N-CH 1200V 29A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT28M120B2

APT28M120B2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT2X100D100J

APT2X100D100J

Opis: DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT2X100D40J

APT2X100D40J

Opis: DIODE MODULE 400V 100A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT2X100DQ60J

APT2X100DQ60J

Opis: DIODE MODULE 600V 100A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT27GA90BD15

APT27GA90BD15

Opis: IGBT 900V 48A 223W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT2X100DQ120J

APT2X100DQ120J

Opis: DIODE MODULE 1.2KV 100A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

Opis: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
APT2X100D60J

APT2X100D60J

Opis: DIODE MODULE 600V 100A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT29F100B2

APT29F100B2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT29F80J

APT29F80J

Opis: MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT28F60S

APT28F60S

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT2X100D120J

APT2X100D120J

Opis: DIODE MODULE 1.2KV 93A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT28F60B

APT28F60B

Opis: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść