Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT28M120B2
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5982180Obraz APT28M120B2.Microsemi

APT28M120B2

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$26.35
30+
$22.394
120+
$20.813
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT28M120B2
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APT28M120B2.pdf
    2.APT28M120B2.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    T-MAX™ [B2]
  • Seria
    POWER MOS 8™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    560 mOhm @ 14A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1135W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3 Variant
  • Inne nazwy
    APT28M120B2MI
    APT28M120B2MI-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    17 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    9670pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    300nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1200V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1200V 29A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    29A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT28M120B2”.
APT2X100D100J

APT2X100D100J

Opis: DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT26F120L

APT26F120L

Opis: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT29F80J

APT29F80J

Opis: MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT2X100D30J

APT2X100D30J

Opis: DIODE MODULE 300V 100A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT2X100D60J

APT2X100D60J

Opis: DIODE MODULE 600V 100A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT29F100L

APT29F100L

Opis: MOSFET N-CH 1000V 30A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT2X100D40J

APT2X100D40J

Opis: DIODE MODULE 400V 100A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

Opis: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT28M120L

APT28M120L

Opis: MOSFET N-CH 1200V 29A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25SM120S

APT25SM120S

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT28F60S

APT28F60S

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT28F60B

APT28F60B

Opis: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT29F100B2

APT29F100B2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT26F120B2

APT26F120B2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT27GA90BD15

APT27GA90BD15

Opis: IGBT 900V 48A 223W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

Opis: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT27HZTR-G1

APT27HZTR-G1

Opis: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT2X100D120J

APT2X100D120J

Opis: DIODE MODULE 1.2KV 93A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT2X100D20J

APT2X100D20J

Opis: DIODE MODULE 200V 100A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.