Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT25GT120BRDQ2G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3252063Obraz APT25GT120BRDQ2G.Microsemi

APT25GT120BRDQ2G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$9.91
10+
$8.916
30+
$8.124
120+
$7.331
270+
$6.737
510+
$6.142
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT25GT120BRDQ2G
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 54A 347W TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APT25GT120BRDQ2G.pdf
    2.APT25GT120BRDQ2G.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    3.7V @ 15V, 25A
  • Stan testu
    800V, 25A, 5 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    14ns/150ns
  • Przełączanie Energy
    930µJ (on), 720µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247 [B]
  • Seria
    Thunderbolt IGBT®
  • Moc - Max
    347W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    APT25GT120BRDQ2GMI
    APT25GT120BRDQ2GMI-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    NPT
  • brama Charge
    170nC
  • szczegółowy opis
    IGBT NPT 1200V 54A 347W Through Hole TO-247 [B]
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    75A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    54A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT25GT120BRDQ2G”.
APT27GA90BD15

APT27GA90BD15

Opis: IGBT 900V 48A 223W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25SM120S

APT25SM120S

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GT120BRG

APT25GT120BRG

Opis: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT26F120L

APT26F120L

Opis: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GR120B

APT25GR120B

Opis: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GR120SSCD10

APT25GR120SSCD10

Opis: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GP120BG

APT25GP120BG

Opis: IGBT 1200V 69A 417W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GR120BSCD10

APT25GR120BSCD10

Opis: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT27HZTR-G1

APT27HZTR-G1

Opis: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT25GR120S

APT25GR120S

Opis: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GP90BDQ1G

APT25GP90BDQ1G

Opis: IGBT 900V 72A 417W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25M100J

APT25M100J

Opis: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

Opis: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GP90BG

APT25GP90BG

Opis: IGBT 900V 72A 417W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GR120SD15

APT25GR120SD15

Opis: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GP120BDQ1G

APT25GP120BDQ1G

Opis: IGBT 1200V 69A 417W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25SM120B

APT25SM120B

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT26F120B2

APT26F120B2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GR120BD15

APT25GR120BD15

Opis: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.