Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT25M100J
Poproś o wycenę
polski
3317765Obraz APT25M100J.Microsemi

APT25M100J

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$32.74
10+
$30.286
30+
$27.831
100+
$25.866
250+
$23.738
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT25M100J
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APT25M100J.pdf
    2.APT25M100J.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    ISOTOP®
  • Seria
    POWER MOS 8™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    330 mOhm @ 18A, 10V
  • Strata mocy (max)
    545W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    17 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    9835pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    305nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1000V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1000V 25A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)

Electronics Weekly News | Mar 9 - 15, 2026

2026/03/16

NXP Announces Price Adjustment Effective April 1, 2026

2026/03/12

Electronics Weekly News | Mar 2 - 8, 2026

2026/03/9

TI Announces Price Increase Effective April 1, 2026

2026/03/6

What the Global Supercomputer Rankings Reveal About the Fut...

2026/03/5

Electronics Weekly News | Feb 23 - Mar 1, 2026

2026/03/2

How to Identify Authentic Components | X-RAY Spotting Machine

2026/02/27

Electronics Weekly News | Feb 2 - 8, 2026

2026/02/9

Customer Case Study | Tier1 ADAS / Domain Controller Memory...

2026/02/19

Consumer Electronics Memory: Applications and Selection Whi...

2026/02/5

Electronics Weekly News | Jan 26- Feb 1, 2026

2026/02/2

Consumer Electronics Memory: Applications and Selection Whi...

2026/01/30
Ustanowiliśmy długoterminowe partnerstwa z głównymi globalnymi dostawcami logistyki, oferując elastyczne i wydajne rozwiązania wysyłkowe dostosowane do twoich unikalnych potrzeb.W zależności od wielkości, wagi i miejsca docelowego zamówienia wybieramy najbardziej odpowiedniego przewoźnika.Zapewniamy również usługi śledzenia logistyki w czasie rzeczywistym, umożliwiając klientom zrozumienie lokalizacji i statusu ich towarów w dowolnym momencie. Jeśli masz określone międzynarodowe trasy wysyłkowe lub wyznaczonego napastnika towarowego, skontaktuj się z naszym zespołem sprzedaży-z przyjemnością dostosujemy Twoje wymagania.
Obsługujemy wiele metod płatności, w tym karty kredytowe, transfery przewodu i inne opcje, i akceptujemy większość walut.W przypadku zamówień złożonych w USD dostępne są dodatkowe opcje płatności.Aby uzyskać więcej informacji na temat metod i procedur płatności, skontaktuj się z naszym zespołem sprzedaży.
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT25M100J”.
APT25GR120SD15

APT25GR120SD15

Opis: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

Opis: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT26F120L

APT26F120L

Opis: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GR120BD15

APT25GR120BD15

Opis: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25SM120B

APT25SM120B

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GT120BRG

APT25GT120BRG

Opis: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

Opis: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GP90BDQ1G

APT25GP90BDQ1G

Opis: IGBT 900V 72A 417W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GR120BSCD10

APT25GR120BSCD10

Opis: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GR120B

APT25GR120B

Opis: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT27GA90BD15

APT27GA90BD15

Opis: IGBT 900V 48A 223W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25SM120S

APT25SM120S

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GP90BG

APT25GP90BG

Opis: IGBT 900V 72A 417W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT27HZTR-G1

APT27HZTR-G1

Opis: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT26F120B2

APT26F120B2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GR120S

APT25GR120S

Opis: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

Opis: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT28F60B

APT28F60B

Opis: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT25GR120SSCD10

APT25GR120SSCD10

Opis: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ

Review (1)

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościPliki do pobraniaMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.