Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT25SM120B
Poproś o wycenę
polski
994334

APT25SM120B

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT25SM120B
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    POWER MOSFET - SIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    +25V, -10V
  • Technologia
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    175 mOhm @ 10A, 20V
  • Strata mocy (max)
    175W (Tc)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    72nC @ 20V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1200V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1200V 25A (Tc) 175W (Tc) Through Hole TO-247
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)
APT27HZTR-G1

APT27HZTR-G1

Opis: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
APT25SM120S

APT25SM120S

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GR120B

APT25GR120B

Opis: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

Opis: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GR120S

APT25GR120S

Opis: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GR120BD15

APT25GR120BD15

Opis: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT28F60S

APT28F60S

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT26F120B2

APT26F120B2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25M100J

APT25M100J

Opis: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT27GA90BD15

APT27GA90BD15

Opis: IGBT 900V 48A 223W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GP90BG

APT25GP90BG

Opis: IGBT 900V 72A 417W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GT120BRG

APT25GT120BRG

Opis: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GR120SSCD10

APT25GR120SSCD10

Opis: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT26F120L

APT26F120L

Opis: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GR120BSCD10

APT25GR120BSCD10

Opis: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GR120SD15

APT25GR120SD15

Opis: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

Opis: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT28F60B

APT28F60B

Opis: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

Opis: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść