Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FCU900N60Z
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1039700Obraz FCU900N60Z.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU900N60Z

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.49
10+
$1.319
100+
$1.043
500+
$0.808
1000+
$0.638
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FCU900N60Z
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FCU900N60Z.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    I-PAK
  • Seria
    SuperFET® II
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    900 mOhm @ 2.3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    52W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    710pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 4.5A (Tc) 52W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4.5A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FCU900N60Z”.
NTD4809NA-1G

NTD4809NA-1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU2250N80Z

FCU2250N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXFK44N50Q

IXFK44N50Q

Opis: MOSFET N-CH 500V 44A TO-264AA

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
SSM3J120TU,LF

SSM3J120TU,LF

Opis: MOSFET P-CH 20V 4A UFM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
FCU850N80Z

FCU850N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU5N60TU

FCU5N60TU

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU3400N80Z

FCU3400N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCUL0530-R47M=P3

FCUL0530-R47M=P3

Opis: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

Producenci: Murata Electronics
Na stanie
RFQ
APT12057B2LLG

APT12057B2LLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
FCU7N60TU

FCU7N60TU

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPB100N04S2L03ATMA2

IPB100N04S2L03ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FCU-7

FCU-7

Opis: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
IRC634PBF

IRC634PBF

Opis: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220-5

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FCU600N65S3R0

FCU600N65S3R0

Opis: SUPERFET3 650V IPAK PKG

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU4300N80Z

FCU4300N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BSC0906NSATMA1

BSC0906NSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IXTA200N085T

IXTA200N085T

Opis: MOSFET N-CH 85V 200A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXTC130N15T

IXTC130N15T

Opis: MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0

Opis: MOSFET N-CH 600V IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU-2

FCU-2

Opis: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.