Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FCU850N80Z
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6392111Obraz FCU850N80Z.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU850N80Z

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$2.50
10+
$2.254
100+
$1.811
500+
$1.409
1000+
$1.167
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FCU850N80Z
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FCU850N80Z.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 600µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    IPAK (TO-251)
  • Seria
    SuperFET® II
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    850 mOhm @ 3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    75W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    52 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1315pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 800V 6A (Tc) 75W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FCU850N80Z”.
SIR464DP-T1-GE3

SIR464DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FCU-7

FCU-7

Opis: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
NTTFS4C13NTAG

NTTFS4C13NTAG

Opis: MOSFET N-CH 30V 38A U8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MTP2955V

MTP2955V

Opis: MOSFET P-CH 60V 12A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPB45N06S4L08ATMA1

IPB45N06S4L08ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FCU4300N80Z

FCU4300N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU600N65S3R0

FCU600N65S3R0

Opis: SUPERFET3 650V IPAK PKG

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU5N60TU

FCU5N60TU

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STFW24N60M2

STFW24N60M2

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A TO-3PF

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
NTD18N06-001

NTD18N06-001

Opis: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU3400N80Z

FCU3400N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPC60R125C6UNSAWNX6SA1

IPC60R125C6UNSAWNX6SA1

Opis: MOSFET N-CH BARE DIE

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RJU002N06FRAT106

RJU002N06FRAT106

Opis: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU2250N80Z

FCU2250N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU-2

FCU-2

Opis: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0

Opis: MOSFET N-CH 600V IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDD120AN15A0

FDD120AN15A0

Opis: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCUL0530-R47M=P3

FCUL0530-R47M=P3

Opis: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

Producenci: Murata Electronics
Na stanie
RFQ
FCU900N60Z

FCU900N60Z

Opis: MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU7N60TU

FCU7N60TU

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.