Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FCU3400N80Z
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6533275Obraz FCU3400N80Z.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU3400N80Z

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.41
10+
$1.248
100+
$0.986
500+
$0.765
1000+
$0.604
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FCU3400N80Z
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FCU3400N80Z.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 200µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    I-PAK
  • Seria
    SuperFET® II
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3.4 Ohm @ 1A, 10V
  • Strata mocy (max)
    32W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    400pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    9.6nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 800V 2A (Tc) 32W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FCU3400N80Z”.
IRF6668TR1

IRF6668TR1

Opis: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
HUF76619D3S

HUF76619D3S

Opis: MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU4300N80Z

FCU4300N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU600N65S3R0

FCU600N65S3R0

Opis: SUPERFET3 650V IPAK PKG

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STP8NS25FP

STP8NS25FP

Opis: MOSFET N-CH 250V 8A TO-220FP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
NP80N04PLG-E1B-AY

NP80N04PLG-E1B-AY

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A TO-263

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
2N7002PM,315

2N7002PM,315

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-883

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
FDD6672A

FDD6672A

Opis: MOSFET N-CH 30V 65A D-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STFH10N60M2

STFH10N60M2

Opis: MOSFET NCH 600V 7.5A TO220

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
BUK753R1-40B,127

BUK753R1-40B,127

Opis: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
FCU5N60TU

FCU5N60TU

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU-7

FCU-7

Opis: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
SIHB22N60S-E3

SIHB22N60S-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK

Producenci: Vishay Siliconix
Na stanie
RFQ
FCU-2

FCU-2

Opis: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
FCUL0530-R47M=P3

FCUL0530-R47M=P3

Opis: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

Producenci: Murata Electronics
Na stanie
RFQ
FCU7N60TU

FCU7N60TU

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0

Opis: MOSFET N-CH 600V IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU900N60Z

FCU900N60Z

Opis: MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU850N80Z

FCU850N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU2250N80Z

FCU2250N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.