Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FCU4300N80Z
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5762507Obraz FCU4300N80Z.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU4300N80Z

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.41
10+
$1.251
100+
$0.989
500+
$0.767
1000+
$0.605
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FCU4300N80Z
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FCU4300N80Z.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 160µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    I-PAK
  • Seria
    SuperFET® II
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    4.3 Ohm @ 800mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    27.8W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    355pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    8.8nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 800V 1.6A (Tc) 27.8W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.6A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FCU4300N80Z”.
FCU900N60Z

FCU900N60Z

Opis: MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU600N65S3R0

FCU600N65S3R0

Opis: SUPERFET3 650V IPAK PKG

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF8252TRPBF

IRF8252TRPBF

Opis: MOSFET N-CH 25V 25A 8-SO

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FCU7N60TU

FCU7N60TU

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU-7

FCU-7

Opis: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
FCU2250N80Z

FCU2250N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF7353D1TRPBF

IRF7353D1TRPBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FCU5N60TU

FCU5N60TU

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF7202TR

IRF7202TR

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
AON2409

AON2409

Opis: MOSFET P-CH 30V 8A 6DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
NTMFS6H801NT1G

NTMFS6H801NT1G

Opis: TRENCH 8 80V NFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU850N80Z

FCU850N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU3400N80Z

FCU3400N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU-2

FCU-2

Opis: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
FQPF3N80

FQPF3N80

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
AON6458

AON6458

Opis: MOSFET N-CH 250V 2.2A 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
SUP50N03-5M1P-GE3

SUP50N03-5M1P-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FCUL0530-R47M=P3

FCUL0530-R47M=P3

Opis: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

Producenci: Murata Electronics
Na stanie
RFQ
FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0

Opis: MOSFET N-CH 600V IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXTQ160N10T

IXTQ160N10T

Opis: MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.