Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FCU600N65S3R0
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1379504Obraz FCU600N65S3R0.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU600N65S3R0

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.67
75+
$1.333
150+
$1.166
525+
$0.905
1050+
$0.714
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FCU600N65S3R0
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    SUPERFET3 650V IPAK PKG
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
    FCU600N65S3R0.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 600µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    I-PAK
  • Seria
    SuperFET® III
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    600 mOhm @ 3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    54W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Inne nazwy
    FCU600N65S3R0-ND
    FCU600N65S3R0OS
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    Not Applicable
  • Status bezołowiowy
    Lead free
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    465pF @ 400V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    650V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 650V 6A (Tc) 54W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FCU600N65S3R0”.
FCU3400N80Z

FCU3400N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCUL0530-R47M=P3

FCUL0530-R47M=P3

Opis: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

Producenci: Murata Electronics
Na stanie
RFQ
FCU2250N80Z

FCU2250N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU7N60TU

FCU7N60TU

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU850N80Z

FCU850N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU-7

FCU-7

Opis: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
FCU4300N80Z

FCU4300N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
CSD18542KTT

CSD18542KTT

Opis: MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
RFQ
IRFB4115PBF

IRFB4115PBF

Opis: MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SPI80N06S2-08

SPI80N06S2-08

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRLL2703TR

IRLL2703TR

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FCU-2

FCU-2

Opis: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
2SK4150TZ-E

2SK4150TZ-E

Opis: MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
FCU900N60Z

FCU900N60Z

Opis: MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTD4865N-1G

NTD4865N-1G

Opis: MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF5800TRPBF

IRF5800TRPBF

Opis: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IXTP06N120P

IXTP06N120P

Opis: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
STD4NK80ZT4

STD4NK80ZT4

Opis: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0

Opis: MOSFET N-CH 600V IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU5N60TU

FCU5N60TU

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.