Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FCU2250N80Z
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3514704Obraz FCU2250N80Z.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU2250N80Z

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.73
10+
$1.533
100+
$1.212
500+
$0.94
1000+
$0.742
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FCU2250N80Z
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FCU2250N80Z.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 260µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    I-PAK
  • Seria
    SuperFET® II
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.25 Ohm @ 1.3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    39W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    585pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 800V 2.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2.6A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FCU2250N80Z”.
IXTY4N65X2

IXTY4N65X2

Opis: MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IRFZ30PBF

IRFZ30PBF

Opis: MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0

Opis: MOSFET N-CH 600V IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
GA05JT12-247

GA05JT12-247

Opis: TRANS SJT 1200V 5A

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU4300N80Z

FCU4300N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU-2

FCU-2

Opis: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
FCU7N60TU

FCU7N60TU

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCUL0530-R47M=P3

FCUL0530-R47M=P3

Opis: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

Producenci: Murata Electronics
Na stanie
RFQ
FCU850N80Z

FCU850N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU-7

FCU-7

Opis: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
FCU600N65S3R0

FCU600N65S3R0

Opis: SUPERFET3 650V IPAK PKG

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU900N60Z

FCU900N60Z

Opis: MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXTC200N10T

IXTC200N10T

Opis: MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
SPA15N65C3XKSA1

SPA15N65C3XKSA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FCU3400N80Z

FCU3400N80Z

Opis: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCU5N60TU

FCU5N60TU

Opis: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DMN90H8D5HCTI

DMN90H8D5HCTI

Opis: MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
IRFBC40STRL

IRFBC40STRL

Opis: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FQB2NA90TM

FQB2NA90TM

Opis: MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.