Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT8M80K
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2463927

APT8M80K

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT8M80K
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APT8M80K.pdf
    2.APT8M80K.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 500µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220 [K]
  • Seria
    POWER MOS 8™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.35 Ohm @ 4A, 10V
  • Strata mocy (max)
    225W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1335pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    43nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 800V 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT8M80K”.
APT85GR120B2

APT85GR120B2

Opis: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT84M50B2

APT84M50B2

Opis: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Opis: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT9M100B

APT9M100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT97N65LC6

APT97N65LC6

Opis: MOSFET N-CH 650V 97A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT94N60L2C3G

APT94N60L2C3G

Opis: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT8M100B

APT8M100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT84F50L

APT84F50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT9F100B

APT9F100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT84F50B2

APT84F50B2

Opis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT84M50L

APT84M50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT85GR120J

APT85GR120J

Opis: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT95GR65B2

APT95GR65B2

Opis: IGBT 650V 208A 892W T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT9F100S

APT9F100S

Opis: MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT95GR65JDU60

APT95GR65JDU60

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT94N65B2C6

APT94N65B2C6

Opis: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT90DR160HJ

APT90DR160HJ

Opis: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT94N65B2C3G

APT94N65B2C3G

Opis: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT85GR120L

APT85GR120L

Opis: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.