Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - prostowniki - macierze > APT8DQ60KCTG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5128335

APT8DQ60KCTG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT8DQ60KCTG
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    2.4V @ 8A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220 [K]
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    19ns
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • Diode Configuration
    1 Pair Common Cathode
  • szczegółowy opis
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 8A Through Hole TO-220-3
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    25µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    8A
APT95GR65B2

APT95GR65B2

Opis: IGBT 650V 208A 892W T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT84F50L

APT84F50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT84F50B2

APT84F50B2

Opis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT8M100B

APT8M100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT94N60L2C3G

APT94N60L2C3G

Opis: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT85GR120J

APT85GR120J

Opis: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT95GR65JDU60

APT95GR65JDU60

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT85GR120L

APT85GR120L

Opis: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT84M50L

APT84M50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT8M80K

APT8M80K

Opis: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80SM120J

APT80SM120J

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT90DR160HJ

APT90DR160HJ

Opis: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT9F100B

APT9F100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT97N65LC6

APT97N65LC6

Opis: MOSFET N-CH 650V 97A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT85GR120B2

APT85GR120B2

Opis: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80SM120S

APT80SM120S

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT94N65B2C6

APT94N65B2C6

Opis: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Opis: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT84M50B2

APT84M50B2

Opis: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT94N65B2C3G

APT94N65B2C3G

Opis: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść