Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT9F100B
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3542234Obraz APT9F100B.Microsemi

APT9F100B

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
120+
$5.794
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT9F100B
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APT9F100B.pdf
    2.APT9F100B.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247 [B]
  • Seria
    POWER MOS 8™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.6 Ohm @ 5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    337W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    21 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2606pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    80nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1000V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1000V 9A (Tc) 337W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT9F100B”.
APTB1612LSYKCGKC

APTB1612LSYKCGKC

Opis: LED GREEN/YELLOW CLEAR 4SMD

Producenci: Kingbright
Na stanie
RFQ
APT9F100S

APT9F100S

Opis: MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT94N60L2C3G

APT94N60L2C3G

Opis: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTB1612LQBDCGKC

APTB1612LQBDCGKC

Opis: LED BLUE/GREEN CLEAR 4SMD

Producenci: Kingbright
Na stanie
RFQ
APT95GR65B2

APT95GR65B2

Opis: IGBT 650V 208A 892W T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTB1612ESGC-F01

APTB1612ESGC-F01

Opis: LED GREEN/RED CLEAR CHIP SMD

Producenci: Kingbright
Na stanie
RFQ
APT90DR160HJ

APT90DR160HJ

Opis: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTB1612LSURKCGKC

APTB1612LSURKCGKC

Opis: LED GREEN/RED CLEAR 4SMD

Producenci: Kingbright
Na stanie
RFQ
APT97N65LC6

APT97N65LC6

Opis: MOSFET N-CH 650V 97A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTB1612LSURKZGKC

APTB1612LSURKZGKC

Opis: LED GREEN/RED CLEAR 4SMD

Producenci: Kingbright
Na stanie
RFQ
APT94N65B2C6

APT94N65B2C6

Opis: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT9M100B

APT9M100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT8M100B

APT8M100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT8M80K

APT8M80K

Opis: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT95GR65JDU60

APT95GR65JDU60

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT94N65B2C3G

APT94N65B2C3G

Opis: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTB1612LSURKSYKC

APTB1612LSURKSYKC

Opis: LED RED/YELLOW CLEAR 4SMD

Producenci: Kingbright
Na stanie
RFQ
APTB1612LVBDSEKJ3C

APTB1612LVBDSEKJ3C

Opis: LED BLUE/RED CLEAR 4SMD

Producenci: Kingbright
Na stanie
RFQ
APTB1612LSURKQBDC

APTB1612LSURKQBDC

Opis: LED BLUE/RED CLEAR 4SMD

Producenci: Kingbright
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.