Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT94N65B2C6
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5160447Obraz APT94N65B2C6.Microsemi

APT94N65B2C6

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
30+
$21.277
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT94N65B2C6
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 3.5mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    T-MAX™ [B2]
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    35 mOhm @ 35.2A, 10V
  • Strata mocy (max)
    833W (Tc)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    TO-247-3 Variant
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    8140pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    320nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    Super Junction
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    650V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 650V 95A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    95A (Tc)
APT90DR160HJ

APT90DR160HJ

Opis: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTB1612ESGC-F01

APTB1612ESGC-F01

Opis: LED GREEN/RED CLEAR CHIP SMD

Producenci: Kingbright
Na stanie
APT8M80K

APT8M80K

Opis: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT94N65B2C3G

APT94N65B2C3G

Opis: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT94N60L2C3G

APT94N60L2C3G

Opis: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Opis: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT8M100B

APT8M100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT95GR65B2

APT95GR65B2

Opis: IGBT 650V 208A 892W T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTB1612LSURKQBDC

APTB1612LSURKQBDC

Opis: LED BLUE/RED CLEAR 4SMD

Producenci: Kingbright
Na stanie
APT9M100B

APT9M100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT97N65LC6

APT97N65LC6

Opis: MOSFET N-CH 650V 97A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT85GR120J

APT85GR120J

Opis: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT85GR120L

APT85GR120L

Opis: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT85GR120B2

APT85GR120B2

Opis: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT9F100S

APT9F100S

Opis: MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT95GR65JDU60

APT95GR65JDU60

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTB1612LSURKCGKC

APTB1612LSURKCGKC

Opis: LED GREEN/RED CLEAR 4SMD

Producenci: Kingbright
Na stanie
APTB1612LQBDCGKC

APTB1612LQBDCGKC

Opis: LED BLUE/GREEN CLEAR 4SMD

Producenci: Kingbright
Na stanie
APT9F100B

APT9F100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść