Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT84F50L
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3125990Obraz APT84F50L.Microsemi

APT84F50L

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT84F50L
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 500V 84A TO-264
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-264 [L]
  • Seria
    POWER MOS 8™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    65 mOhm @ 42A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1135W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-264-3, TO-264AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    13500pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    340nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    500V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 500V 84A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    84A (Tc)
APT80GA60LD40

APT80GA60LD40

Opis: IGBT 600V 143A 625W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT90DR160HJ

APT90DR160HJ

Opis: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

Opis: IGBT 900V 145A 625W TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT85GR120J

APT85GR120J

Opis: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80GA90B

APT80GA90B

Opis: IGBT 900V 145A 625W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT84M50L

APT84M50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT8M80K

APT8M80K

Opis: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80M60J

APT80M60J

Opis: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Opis: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT85GR120B2

APT85GR120B2

Opis: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT84M50B2

APT84M50B2

Opis: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80GP60J

APT80GP60J

Opis: IGBT 600V 151A 462W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT84F50B2

APT84F50B2

Opis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80GA60B

APT80GA60B

Opis: IGBT 600V 143A 625W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80SM120B

APT80SM120B

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT8M100B

APT8M100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80SM120S

APT80SM120S

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT85GR120L

APT85GR120L

Opis: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80SM120J

APT80SM120J

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść