Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT80M60J
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5740207Obraz APT80M60J.Microsemi

APT80M60J

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
10+
$55.095
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT80M60J
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APT80M60J.pdf
    2.APT80M60J.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 5mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    ISOTOP®
  • Seria
    POWER MOS 8™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    55 mOhm @ 60A, 10V
  • Strata mocy (max)
    960W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    23 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    24000pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    600nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 84A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    84A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT80M60J”.
APT80GA60B

APT80GA60B

Opis: IGBT 600V 143A 625W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT84M50L

APT84M50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT8024LFLLG

APT8024LFLLG

Opis: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT8024LLLG

APT8024LLLG

Opis: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT84F50B2

APT84F50B2

Opis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT80SM120S

APT80SM120S

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT80SM120J

APT80SM120J

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Opis: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT8024JLL

APT8024JLL

Opis: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

Opis: IGBT 900V 145A 625W TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT84F50L

APT84F50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT80SM120B

APT80SM120B

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT80GP60J

APT80GP60J

Opis: IGBT 600V 151A 462W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT80GA60LD40

APT80GA60LD40

Opis: IGBT 600V 143A 625W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT85GR120J

APT85GR120J

Opis: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT84M50B2

APT84M50B2

Opis: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT80F60J

APT80F60J

Opis: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT85GR120B2

APT85GR120B2

Opis: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT8075BN

APT8075BN

Opis: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT80GA90B

APT80GA90B

Opis: IGBT 900V 145A 625W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.