Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT8075BN
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5492862

APT8075BN

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT8075BN
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247AD
  • Seria
    POWER MOS IV®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    750 mOhm @ 6.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    310W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2950pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    130nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 800V 13A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    13A (Tc)
APT7M120S

APT7M120S

Opis: MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80GA60B

APT80GA60B

Opis: IGBT 600V 143A 625W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT8024JLL

APT8024JLL

Opis: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT8020JLL

APT8020JLL

Opis: MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80M60J

APT80M60J

Opis: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80SM120J

APT80SM120J

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT8014JLL

APT8014JLL

Opis: MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80F60J

APT80F60J

Opis: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT8024B2LLG

APT8024B2LLG

Opis: MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80GA90B

APT80GA90B

Opis: IGBT 900V 145A 625W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT8020LFLLG

APT8020LFLLG

Opis: MOSFET N-CH 800V 38A TO-264

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

Opis: IGBT 900V 145A 625W TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80SM120B

APT80SM120B

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT8020B2LLG

APT8020B2LLG

Opis: MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80SM120S

APT80SM120S

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT8024LLLG

APT8024LLLG

Opis: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80GP60J

APT80GP60J

Opis: IGBT 600V 151A 462W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT8024LFLLG

APT8024LFLLG

Opis: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT8018JN

APT8018JN

Opis: MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80GA60LD40

APT80GA60LD40

Opis: IGBT 600V 143A 625W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść