Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT35SM70B
Poproś o wycenę
polski
1396048

APT35SM70B

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT35SM70B
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 700V TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    +25V, -10V
  • Technologia
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    145 mOhm @ 10A, 20V
  • Strata mocy (max)
    176W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1035pF @ 700V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    67nC @ 20V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    700V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 700V 35A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)
APT38F50J

APT38F50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Opis: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Opis: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT37M100L

APT37M100L

Opis: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT37F50S

APT37F50S

Opis: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Opis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GA90B

APT35GA90B

Opis: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT37M100B2

APT37M100B2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT36GA60B

APT36GA60B

Opis: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT37F50B

APT37F50B

Opis: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT38F80B2

APT38F80B2

Opis: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Opis: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Opis: IGBT 900V 63A 290W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35SM70S

APT35SM70S

Opis: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GP120J

APT35GP120J

Opis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Opis: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Opis: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść