Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT35GP120BG
Poproś o wycenę
polski
5948265Obraz APT35GP120BG.Microsemi

APT35GP120BG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$18.54
10+
$16.858
30+
$15.593
120+
$14.329
270+
$13.065
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT35GP120BG
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 96A 543W TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APT35GP120BG.pdf
    2.APT35GP120BG.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    3.9V @ 15V, 35A
  • Stan testu
    600V, 35A, 5 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    16ns/94ns
  • Przełączanie Energy
    750µJ (on), 680µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247 [B]
  • Seria
    POWER MOS 7®
  • Moc - Max
    543W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    APT35GP120BGMI
    APT35GP120BGMI-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    23 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    PT
  • brama Charge
    150nC
  • szczegółowy opis
    IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole TO-247 [B]
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    140A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    96A

Futuretech Components Vietnam Team | Local Presence, Strong...

2026/04/13

Electronics Weekly News | Apr 6 - 12, 2026

2026/04/13

Case Study | How Did We Help a European Manufacturer Overco...

2026/04/10

Electronics Weekly News | Mar 30 - Apr 5, 2026

2026/04/7

Electronics Weekly News | Mar 23 - 29, 2026

2026/03/30

STMicroelectronics and Allegro Announce Price Increases

2026/03/26

Electronics Weekly News | Mar 16 - 22, 2026

2026/03/24

Automotive Memory Applications & Selection Guide I

2026/03/17

Electronics Weekly News | Mar 9 - 15, 2026

2026/03/16

NXP Announces Price Adjustment Effective April 1, 2026

2026/03/12

Electronics Weekly News | Mar 2 - 8, 2026

2026/03/9

TI Announces Price Increase Effective April 1, 2026

2026/03/6
Ustanowiliśmy długoterminowe partnerstwa z głównymi globalnymi dostawcami logistyki, oferując elastyczne i wydajne rozwiązania wysyłkowe dostosowane do twoich unikalnych potrzeb.W zależności od wielkości, wagi i miejsca docelowego zamówienia wybieramy najbardziej odpowiedniego przewoźnika.Zapewniamy również usługi śledzenia logistyki w czasie rzeczywistym, umożliwiając klientom zrozumienie lokalizacji i statusu ich towarów w dowolnym momencie. Jeśli masz określone międzynarodowe trasy wysyłkowe lub wyznaczonego napastnika towarowego, skontaktuj się z naszym zespołem sprzedaży-z przyjemnością dostosujemy Twoje wymagania.
Obsługujemy wiele metod płatności, w tym karty kredytowe, transfery przewodu i inne opcje, i akceptujemy większość walut.W przypadku zamówień złożonych w USD dostępne są dodatkowe opcje płatności.Aby uzyskać więcej informacji na temat metod i procedur płatności, skontaktuj się z naszym zespołem sprzedaży.
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT35GP120BG”.
APT35SM70S

APT35SM70S

Opis: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Opis: IGBT 900V 63A 290W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Opis: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT36GA60B

APT36GA60B

Opis: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Opis: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT34M120J

APT34M120J

Opis: MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GA90B

APT35GA90B

Opis: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GP120J

APT35GP120J

Opis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT37F50B

APT37F50B

Opis: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Opis: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Opis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT34M60B

APT34M60B

Opis: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

Opis: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35SM70B

APT35SM70B

Opis: MOSFET N-CH 700V TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Opis: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ

Review (1)

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościPliki do pobraniaMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.