Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT35GA90BD15
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
660649Obraz APT35GA90BD15.Microsemi

APT35GA90BD15

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$8.17
10+
$7.35
30+
$6.696
120+
$6.043
270+
$5.553
510+
$5.063
1020+
$4.41
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT35GA90BD15
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 900V 63A 290W TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APT35GA90BD15.pdf
    2.APT35GA90BD15.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    900V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    3.1V @ 15V, 18A
  • Stan testu
    600V, 18A, 10 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    12ns/104ns
  • Przełączanie Energy
    642µJ (on), 382µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247 [B]
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    290W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    APT35GA90BD15MI
    APT35GA90BD15MI-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    28 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    PT
  • brama Charge
    84nC
  • szczegółowy opis
    IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B]
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    105A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    63A

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT35GA90BD15”.
APT34M120J

APT34M120J

Opis: MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT34F100B2

APT34F100B2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35SM70B

APT35SM70B

Opis: MOSFET N-CH 700V TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35SM70S

APT35SM70S

Opis: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GP120J

APT35GP120J

Opis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT34M60B

APT34M60B

Opis: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GA90B

APT35GA90B

Opis: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT34F60BG

APT34F60BG

Opis: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT34F60B

APT34F60B

Opis: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Opis: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Opis: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Opis: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Opis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

Opis: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT34F100L

APT34F100L

Opis: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.