Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - moduły > APT35GT120JU2
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1360442Obraz APT35GT120JU2.Microsemi

APT35GT120JU2

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$19.758
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT35GT120JU2
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 35A 260W SOT-227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APT35GT120JU2.pdf
    2.APT35GT120JU2.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.1V @ 15V, 35A
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-227
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    260W
  • Package / Case
    ISOTOP
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Termistor NTC
    No
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce
    2.53nF @ 25V
  • Wkład
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    Trench Field Stop
  • szczegółowy opis
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 260W Chassis Mount SOT-227
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    5mA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    55A
  • Konfiguracja
    Single

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT35GT120JU2”.
APT37F50B

APT37F50B

Opis: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Opis: IGBT 900V 63A 290W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT37M100L

APT37M100L

Opis: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Opis: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT37F50S

APT37F50S

Opis: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT36GA60B

APT36GA60B

Opis: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Opis: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT37M100B2

APT37M100B2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Opis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GP120J

APT35GP120J

Opis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35SM70S

APT35SM70S

Opis: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Opis: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Opis: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GA90B

APT35GA90B

Opis: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

Opis: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Opis: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35SM70B

APT35SM70B

Opis: MOSFET N-CH 700V TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.