Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT36N90BC3G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2469886Obraz APT36N90BC3G.Microsemi

APT36N90BC3G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$25.59
30+
$21.756
120+
$20.22
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT36N90BC3G
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    APT36N90BC3G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 2.9mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247 [B]
  • Seria
    CoolMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    120 mOhm @ 18A, 10V
  • Strata mocy (max)
    390W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    7463pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    252nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    Super Junction
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    900V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 900V 36A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    36A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT36N90BC3G”.
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Opis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35SM70S

APT35SM70S

Opis: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Opis: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35SM70B

APT35SM70B

Opis: MOSFET N-CH 700V TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT36GA60B

APT36GA60B

Opis: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT38N60SC6

APT38N60SC6

Opis: MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT37M100L

APT37M100L

Opis: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT38N60BC6

APT38N60BC6

Opis: MOSFET N-CH 600V 38A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT38M50J

APT38M50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT37M100B2

APT37M100B2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Opis: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT38F80B2

APT38F80B2

Opis: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Opis: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT38F50J

APT38F50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT38F80L

APT38F80L

Opis: MOSFET N-CH 800V 41A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT37F50S

APT37F50S

Opis: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT37F50B

APT37F50B

Opis: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT35GP120J

APT35GP120J

Opis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.