Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT36GA60B
Poproś o wycenę
polski
411460Obraz APT36GA60B.Microsemi

APT36GA60B

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$6.81
10+
$6.078
30+
$5.47
120+
$4.984
270+
$4.498
510+
$4.036
1020+
$3.404
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT36GA60B
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 600V 65A 290W TO-247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.5V @ 15V, 20A
  • Stan testu
    400V, 20A, 10 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    16ns/122ns
  • Przełączanie Energy
    307µJ (on), 254µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247 [B]
  • Seria
    POWER MOS 8™
  • Moc - Max
    290W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    29 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    PT
  • brama Charge
    102nC
  • szczegółowy opis
    IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B]
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    109A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    65A
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Opis: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35SM70S

APT35SM70S

Opis: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35SM70B

APT35SM70B

Opis: MOSFET N-CH 700V TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT38F80L

APT38F80L

Opis: MOSFET N-CH 800V 41A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Opis: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT37F50B

APT37F50B

Opis: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Opis: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Opis: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT37M100B2

APT37M100B2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT37M100L

APT37M100L

Opis: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT37F50S

APT37F50S

Opis: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT38F50J

APT38F50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GP120J

APT35GP120J

Opis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT38F80B2

APT38F80B2

Opis: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Opis: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Opis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT38M50J

APT38M50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść