Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT30GN60BDQ2G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5307822Obraz APT30GN60BDQ2G.Microsemi

APT30GN60BDQ2G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
120+
$4.918
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT30GN60BDQ2G
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 600V 63A 203W TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APT30GN60BDQ2G.pdf
    2.APT30GN60BDQ2G.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    1.9V @ 15V, 30A
  • Stan testu
    400V, 30A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    12ns/155ns
  • Przełączanie Energy
    525µJ (on), 700µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247 [B]
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    203W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    Trench Field Stop
  • brama Charge
    165nC
  • szczegółowy opis
    IGBT Trench Field Stop 600V 63A 203W Through Hole TO-247 [B]
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    90A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    63A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT30GN60BDQ2G”.
APT30DQ60BHBG

APT30DQ60BHBG

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30DQ60KG

APT30DQ60KG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30DQ60BG

APT30DQ60BG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30F50S

APT30F50S

Opis: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GN60BG

APT30GN60BG

Opis: IGBT 600V 63A 203W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30DS20HJ

APT30DS20HJ

Opis: DIODE MODULE 200V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

Opis: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30F50B

APT30F50B

Opis: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

Opis: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30F60J

APT30F60J

Opis: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

Opis: IGBT 600V 100A 463W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GT60BRDQ2G

APT30GT60BRDQ2G

Opis: IGBT 600V 64A 250W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

Opis: IGBT 600V 100A 463W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30DS60BG

APT30DS60BG

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

Opis: IGBT 600V 67A 245W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GS60BRDLG

APT30GS60BRDLG

Opis: IGBT 600V 54A 250W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GS60BRDQ2G

APT30GS60BRDQ2G

Opis: IGBT 600V 54A 250W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GP60BG

APT30GP60BG

Opis: IGBT 600V 100A 463W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GS60KRG

APT30GS60KRG

Opis: IGBT 600V 54A 250W TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GP60LDLG

APT30GP60LDLG

Opis: IGBT 600V 100A 463W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.