Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT30GT60BRDQ2G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3619364Obraz APT30GT60BRDQ2G.Microsemi

APT30GT60BRDQ2G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$6.69
10+
$6.024
30+
$5.489
120+
$4.953
270+
$4.552
510+
$4.15
1020+
$3.615
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT30GT60BRDQ2G
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 600V 64A 250W TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APT30GT60BRDQ2G.pdf
    2.APT30GT60BRDQ2G.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.5V @ 15V, 30A
  • Stan testu
    400V, 30A, 10 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    12ns/225ns
  • Przełączanie Energy
    80µJ (on), 605µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247 [B]
  • Seria
    Thunderbolt IGBT®
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    22ns
  • Moc - Max
    250W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    APT30GT60BRDQ2GMI
    APT30GT60BRDQ2GMI-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    NPT
  • brama Charge
    7.5nC
  • szczegółowy opis
    IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-247 [B]
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    110A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    64A

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT30GT60BRDQ2G”.
APT30M40JVR

APT30M40JVR

Opis: MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30M19JVR

APT30M19JVR

Opis: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GP60LDLG

APT30GP60LDLG

Opis: IGBT 600V 100A 463W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30M70BVFRG

APT30M70BVFRG

Opis: MOSFET N-CH 300V 48A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GT60BRG

APT30GT60BRG

Opis: IGBT 600V 64A 250W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GP60BG

APT30GP60BG

Opis: IGBT 600V 100A 463W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30M19JVFR

APT30M19JVFR

Opis: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30M70BVRG

APT30M70BVRG

Opis: MOSFET N-CH 300V 48A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GT60KRG

APT30GT60KRG

Opis: IGBT 600V 64A 250W TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

Opis: IGBT 600V 67A 245W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30M60J

APT30M60J

Opis: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

Opis: IGBT 600V 100A 463W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

Opis: IGBT 600V 100A 463W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GN60BDQ2G

APT30GN60BDQ2G

Opis: IGBT 600V 63A 203W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GN60BG

APT30GN60BG

Opis: IGBT 600V 63A 203W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30M40B2VFRG

APT30M40B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 300V 76A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GS60BRDLG

APT30GS60BRDLG

Opis: IGBT 600V 54A 250W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30M40JVFR

APT30M40JVFR

Opis: MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GS60BRDQ2G

APT30GS60BRDQ2G

Opis: IGBT 600V 54A 250W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GS60KRG

APT30GS60KRG

Opis: IGBT 600V 54A 250W TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.