Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT30F60J
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3715485Obraz APT30F60J.Microsemi

APT30F60J

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$30.94
10+
$28.623
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT30F60J
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    APT30F60J.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    ISOTOP®
  • Seria
    POWER MOS 8™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    150 mOhm @ 21A, 10V
  • Strata mocy (max)
    355W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    8590pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    215nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 31A (Tc) 355W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    31A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT30F60J”.
APT30GP60BG

APT30GP60BG

Opis: IGBT 600V 100A 463W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30DQ120BG

APT30DQ120BG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

Opis: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GS60BRDLG

APT30GS60BRDLG

Opis: IGBT 600V 54A 250W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30F50S

APT30F50S

Opis: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30DS20HJ

APT30DS20HJ

Opis: DIODE MODULE 200V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30DQ60BCTG

APT30DQ60BCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GN60BG

APT30GN60BG

Opis: IGBT 600V 63A 203W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30DQ60KG

APT30DQ60KG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30F50B

APT30F50B

Opis: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30DQ120KG

APT30DQ120KG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

Opis: IGBT 600V 67A 245W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GN60BDQ2G

APT30GN60BDQ2G

Opis: IGBT 600V 63A 203W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

Opis: IGBT 600V 100A 463W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30DS60BG

APT30DS60BG

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GP60LDLG

APT30GP60LDLG

Opis: IGBT 600V 100A 463W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30DQ60BG

APT30DQ60BG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

Opis: IGBT 600V 100A 463W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

Opis: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT30DQ60BHBG

APT30DQ60BHBG

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.