Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - prostowniki mostkowe > APT30DS20HJ
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5535157Obraz APT30DS20HJ.Microsemi

APT30DS20HJ

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT30DS20HJ
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE MODULE 200V SOT227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    200V
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    850mV @ 30A
  • Technologia
    Standard
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-227
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Single Phase
  • szczegółowy opis
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Chassis Mount SOT-227
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    500µA @ 200V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    45A
APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

Opis: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30F60J

APT30F60J

Opis: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30DQ100KG

APT30DQ100KG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

Opis: IGBT 600V 100A 463W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GN60BG

APT30GN60BG

Opis: IGBT 600V 63A 203W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

Opis: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30DQ120KG

APT30DQ120KG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30DQ60KG

APT30DQ60KG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30DQ60BCTG

APT30DQ60BCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30DQ120BCTG

APT30DQ120BCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30DS60BG

APT30DS60BG

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30DQ100BCTG

APT30DQ100BCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30DQ60BHBG

APT30DQ60BHBG

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30DQ100BG

APT30DQ100BG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

Opis: IGBT 600V 100A 463W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30DQ120BG

APT30DQ120BG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GN60BDQ2G

APT30GN60BDQ2G

Opis: IGBT 600V 63A 203W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30F50S

APT30F50S

Opis: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30DQ60BG

APT30DQ60BG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30F50B

APT30F50B

Opis: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść