Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - prostowniki - macierze > APT30DS60BG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3699817Obraz APT30DS60BG.Microsemi

APT30DS60BG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$12.02
10+
$10.924
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT30DS60BG
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    4V @ 30A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247 [B]
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    24ns
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-2
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • Diode Configuration
    1 Pair Series Connection
  • szczegółowy opis
    Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 600V 20A Through Hole TO-247-2
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    250µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    20A
APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

Opis: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

Opis: IGBT 600V 100A 463W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30F60J

APT30F60J

Opis: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30DQ120BG

APT30DQ120BG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GN60BDQ2G

APT30GN60BDQ2G

Opis: IGBT 600V 63A 203W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30DQ60BG

APT30DQ60BG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30DQ60BCTG

APT30DQ60BCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GP60BG

APT30GP60BG

Opis: IGBT 600V 100A 463W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30F50B

APT30F50B

Opis: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30DQ100KG

APT30DQ100KG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

Opis: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30DQ60BHBG

APT30DQ60BHBG

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

Opis: IGBT 600V 100A 463W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GN60BG

APT30GN60BG

Opis: IGBT 600V 63A 203W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30DQ120BCTG

APT30DQ120BCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30DQ60KG

APT30DQ60KG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30DQ100BG

APT30DQ100BG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30DS20HJ

APT30DS20HJ

Opis: DIODE MODULE 200V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30F50S

APT30F50S

Opis: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30DQ120KG

APT30DQ120KG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść