Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT13GP120KG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4176483

APT13GP120KG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT13GP120KG
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 41A 250W TO220
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    APT13GP120KG.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    3.9V @ 15V, 13A
  • Stan testu
    600V, 13A, 5 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    9ns/28ns
  • Przełączanie Energy
    114µJ (on), 165µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220 [K]
  • Seria
    POWER MOS 7®
  • Moc - Max
    250W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    PT
  • brama Charge
    55nC
  • szczegółowy opis
    IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-220 [K]
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    50A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    41A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT13GP120KG”.
APT13005SU-G1

APT13005SU-G1

Opis: TRANS NPN 450V 3.2A TO126

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT14M120B

APT14M120B

Opis: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

Opis: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT14050JVFR

APT14050JVFR

Opis: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT13005T-G1

APT13005T-G1

Opis: TRANS NPN 450V 4A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13GP120BG

APT13GP120BG

Opis: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT13F120S

APT13F120S

Opis: MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT14M100S

APT14M100S

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT13F120B

APT13F120B

Opis: MOSFET N-CH 1200V 14A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT150GN120J

APT150GN120J

Opis: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT14M100B

APT14M100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT14F100B

APT14F100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT150GN60J

APT150GN60J

Opis: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT130SM70B

APT130SM70B

Opis: MOSFET N-CH 700V TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT13005STF-G1

APT13005STF-G1

Opis: TRANS NPN 450V 3.2A TO220

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT130SM70J

APT130SM70J

Opis: MOSFET N-CH 700V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT13005TF-G1

APT13005TF-G1

Opis: TRANS NPN 450V 4A TO220-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

Opis: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT14F100S

APT14F100S

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT13GP120BDQ1G

APT13GP120BDQ1G

Opis: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.