Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - moduły > APT150GN60J
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2564450Obraz APT150GN60J.Microsemi

APT150GN60J

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
20+
$27.55
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT150GN60J
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 600V 220A 536W SOT227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    1.85V @ 15V, 150A
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    ISOTOP®
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    536W
  • Package / Case
    ISOTOP
  • Inne nazwy
    APT150GN60JMI
    APT150GN60JMI-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Termistor NTC
    No
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce
    9.2nF @ 25V
  • Wkład
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    Trench Field Stop
  • szczegółowy opis
    IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 220A 536W Chassis Mount ISOTOP®
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    25µA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    220A
  • Konfiguracja
    Single
APT14M120B

APT14M120B

Opis: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15D120BG

APT15D120BG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT150GN60JDQ4

APT150GN60JDQ4

Opis: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

Opis: IGBT 600V 220A 536W TO-264L

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15D100KG

APT15D100KG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15D100BG

APT15D100BG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15D120BCTG

APT15D120BCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT14F100S

APT14F100S

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15D120KG

APT15D120KG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT13GP120KG

APT13GP120KG

Opis: IGBT 1200V 41A 250W TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT14F100B

APT14F100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT14M100B

APT14M100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

Opis: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT150GN120J

APT150GN120J

Opis: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT150GT120JR

APT150GT120JR

Opis: IGBT 1200V 170A 830W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

Opis: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT14050JVFR

APT14050JVFR

Opis: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT14M100S

APT14M100S

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15D100BHBG

APT15D100BHBG

Opis: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT15D100BCTG

APT15D100BCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść