Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT150GN60B2G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5550007Obraz APT150GN60B2G.Microsemi

APT150GN60B2G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
30+
$17.911
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT150GN60B2G
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 600V 220A 536W SOT227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    APT150GN60B2G.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    1.85V @ 15V, 150A
  • Stan testu
    400V, 150A, 1 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    44ns/430ns
  • Przełączanie Energy
    8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    536W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3 Variant
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    Trench Field Stop
  • brama Charge
    970nC
  • szczegółowy opis
    IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    450A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    220A

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT150GN60B2G”.
APT13GP120KG

APT13GP120KG

Opis: IGBT 1200V 41A 250W TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT150GT120JR

APT150GT120JR

Opis: IGBT 1200V 170A 830W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT14F100S

APT14F100S

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT14M100S

APT14M100S

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT14050JVFR

APT14050JVFR

Opis: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT15D100KG

APT15D100KG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT15D100BG

APT15D100BG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT14M100B

APT14M100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT14F100B

APT14F100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT150GN120J

APT150GN120J

Opis: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT150GN60JDQ4

APT150GN60JDQ4

Opis: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT14M120B

APT14M120B

Opis: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT15D120BG

APT15D120BG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT150GN60J

APT150GN60J

Opis: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

Opis: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT15D120BCTG

APT15D120BCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT15D100BHBG

APT15D100BHBG

Opis: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT15D100BCTG

APT15D100BCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT13GP120BG

APT13GP120BG

Opis: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

Opis: IGBT 600V 220A 536W TO-264L

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.