Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - moduły > APT150GT120JR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3882775Obraz APT150GT120JR.Microsemi

APT150GT120JR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$53.78
10+
$50.291
30+
$46.512
100+
$43.605
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT150GT120JR
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 170A 830W SOT227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APT150GT120JR.pdf
    2.APT150GT120JR.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    3.7V @ 15V, 150A
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    ISOTOP®
  • Seria
    Thunderbolt IGBT®
  • Moc - Max
    830W
  • Package / Case
    ISOTOP
  • Inne nazwy
    APT150GT120JRMI
    APT150GT120JRMI-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Termistor NTC
    No
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce
    9.3nF @ 25V
  • Wkład
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    NPT
  • szczegółowy opis
    IGBT Module NPT Single 1200V 170A 830W Chassis Mount ISOTOP®
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    150µA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    170A
  • Konfiguracja
    Single

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT150GT120JR”.
APT15D100BG

APT15D100BG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT14M100B

APT14M100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT15D100BCTG

APT15D100BCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT14M120B

APT14M120B

Opis: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT15D100KG

APT15D100KG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT150GN60JDQ4

APT150GN60JDQ4

Opis: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

Opis: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT15D100BHBG

APT15D100BHBG

Opis: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT15D40BCTG

APT15D40BCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 400V 15A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

Opis: IGBT 600V 220A 536W TO-264L

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT15D40KG

APT15D40KG

Opis: DIODE GEN PURP 400V 15A TO220-2

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

Opis: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT150GN120J

APT150GN120J

Opis: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT15D120BCTG

APT15D120BCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT15D120KG

APT15D120KG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT15D120BG

APT15D120BG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT14M100S

APT14M100S

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT150GN60J

APT150GN60J

Opis: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT14F100S

APT14F100S

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT15D30KG

APT15D30KG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 15A TO220-2

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.