Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT13F120S
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1121066Obraz APT13F120S.Microsemi

APT13F120S

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
60+
$12.326
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT13F120S
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    APT13F120S.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D3Pak
  • Seria
    POWER MOS 8™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.2 Ohm @ 7A, 10V
  • Strata mocy (max)
    625W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    22 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4765pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    145nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1200V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1200V 14A (Tc) 625W (Tc) Surface Mount D3Pak
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    14A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT13F120S”.
APT13GP120KG

APT13GP120KG

Opis: IGBT 1200V 41A 250W TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT13005TF-G1

APT13005TF-G1

Opis: TRANS NPN 450V 4A TO220-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT14050JVFR

APT14050JVFR

Opis: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT14F100B

APT14F100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT13005T-G1

APT13005T-G1

Opis: TRANS NPN 450V 4A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT130SM70B

APT130SM70B

Opis: MOSFET N-CH 700V TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT13005DTF-G1

APT13005DTF-G1

Opis: TRANS NPN 450V 4A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13GP120BG

APT13GP120BG

Opis: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT14M100B

APT14M100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT14M100S

APT14M100S

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT13005SU-G1

APT13005SU-G1

Opis: TRANS NPN 450V 3.2A TO126

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13F120B

APT13F120B

Opis: MOSFET N-CH 1200V 14A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT13005DT-G1

APT13005DT-G1

Opis: TRANS NPN 450V 4A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13GP120BDQ1G

APT13GP120BDQ1G

Opis: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT14F100S

APT14F100S

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT150GN120J

APT150GN120J

Opis: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT14M120B

APT14M120B

Opis: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT130SM70J

APT130SM70J

Opis: MOSFET N-CH 700V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT13005SI-G1

APT13005SI-G1

Opis: TRANS NPN 450V 3.2A TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13005STF-G1

APT13005STF-G1

Opis: TRANS NPN 450V 3.2A TO220

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.