Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT130SM70B
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5114390

APT130SM70B

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT130SM70B
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 700V TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    APT130SM70B.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    +25V, -10V
  • Technologia
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    45 mOhm @ 60A, 20V
  • Strata mocy (max)
    556W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3950pF @ 700V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    220nC @ 20V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    700V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 700V 110A (Tc) 556W (Tc) Through Hole TO-247
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    110A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT130SM70B”.
APT13GP120BDQ1G

APT13GP120BDQ1G

Opis: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT13005SU-G1

APT13005SU-G1

Opis: TRANS NPN 450V 3.2A TO126

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13003SU-G1

APT13003SU-G1

Opis: TRANS NPN 450V 1.3A TO126

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13F120S

APT13F120S

Opis: MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT14M100B

APT14M100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT13005DTF-G1

APT13005DTF-G1

Opis: TRANS NPN 450V 4A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT14F100S

APT14F100S

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT13005DT-G1

APT13005DT-G1

Opis: TRANS NPN 450V 4A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT14F100B

APT14F100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT14050JVFR

APT14050JVFR

Opis: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT13F120B

APT13F120B

Opis: MOSFET N-CH 1200V 14A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT13005SI-G1

APT13005SI-G1

Opis: TRANS NPN 450V 3.2A TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13GP120BG

APT13GP120BG

Opis: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT13005DI-G1

APT13005DI-G1

Opis: TRANS NPN 450V 4A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13005STF-G1

APT13005STF-G1

Opis: TRANS NPN 450V 3.2A TO220

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13003SZTR-G1

APT13003SZTR-G1

Opis: TRANS NPN 450V 1.3A TO92

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13005TF-G1

APT13005TF-G1

Opis: TRANS NPN 450V 4A TO220-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
APT13GP120KG

APT13GP120KG

Opis: IGBT 1200V 41A 250W TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT130SM70J

APT130SM70J

Opis: MOSFET N-CH 700V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT13005T-G1

APT13005T-G1

Opis: TRANS NPN 450V 4A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.