Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RQ6E085BNTCR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1095768Obraz RQ6E085BNTCR.LAPIS Semiconductor

RQ6E085BNTCR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.384
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RQ6E085BNTCR
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.RQ6E085BNTCR.pdf
    2.RQ6E085BNTCR.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-457
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    14.4 mOhm @ 8.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.25W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SC-74, SOT-457
  • Inne nazwy
    RQ6E085BNTCRTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1350pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    32.7nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 8.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount SOT-457
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    8.5A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RQ6E085BNTCR”.
RQ6P015SPTR

RQ6P015SPTR

Opis: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRFD224PBF

IRFD224PBF

Opis: MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RQ6E030ATTCR

RQ6E030ATTCR

Opis: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
PSMN7R6-60PS,127

PSMN7R6-60PS,127

Opis: MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
RQ6C050UNTR

RQ6C050UNTR

Opis: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
NP80N055KLE-E1-AY

NP80N055KLE-E1-AY

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
RQ6C065BCTCR

RQ6C065BCTCR

Opis: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ6E045BNTCR

RQ6E045BNTCR

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
EPC2031ENGRT

EPC2031ENGRT

Opis: MOSFET NCH 60V 31A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
RQ6C050BCTCR

RQ6C050BCTCR

Opis: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
MCH3376-TL-E

MCH3376-TL-E

Opis: MOSFET P-CH 8A 20V MCPH3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ6E055BNTCR

RQ6E055BNTCR

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ6E035ATTCR

RQ6E035ATTCR

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRFPS3810

IRFPS3810

Opis: MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRL2203NSPBF

IRL2203NSPBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
AOD452

AOD452

Opis: MOSFET N-CH 25V 55A TO-252

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
IPI50R199CPXKSA1

IPI50R199CPXKSA1

Opis: MOSFET N-CH 500V 17A TO262

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RQ6E050ATTCR

RQ6E050ATTCR

Opis: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD30N06TM

FQD30N06TM

Opis: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.