Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RQ6E045BNTCR

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

3862342

Obraz RQ6E045BNTCR.

LAPIS Semiconductor

RQ6E045BNTCR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.137

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

RQ6E045BNTCR
Producent / marka

LAPIS Technology
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

1.RQ6E045BNTCR.pdf
2.RQ6E045BNTCR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

TSMT6 (SC-95)
Seria

-
RDS (Max) @ ID, Vgs

30 mOhm @ 4.5A, 10V
Strata mocy (max)

1.25W (Ta)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Inne nazwy

RQ6E045BNTCRTR
temperatura robocza

150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

330pF @ 15V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

8.4nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

30V
szczegółowy opis

N-Channel 30V 4.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „RQ6E045BNTCR”.

SI7102DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

RQ6P015SPTR

Opis: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

STP3LN62K3

Opis: MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220

Producenci: STMicroelectronics

Na stanie

FCH110N65F-F155

FCH110N65F-F155

Opis: MOSFET N-CH 650V 35A TO247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

RQ6C065BCTCR

Opis: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

TLC530FTU

TLC530FTU

Opis: MOSFET N-CH 330V 7A TO220-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

HAT2099H-EL-E

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK

Producenci: Renesas Electronics America

Na stanie

SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

IPC171N04NX1SA1

IPC171N04NX1SA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 1A SAWN ON FOIL

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

RQ6E050ATTCR

Opis: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

IRLMS1902TRPBF

IRLMS1902TRPBF

Opis: MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

IXFN44N100P

Opis: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation

Na stanie

FDS6299S

Opis: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

NTMFS4744NT3G

Opis: MOSFET N-CH 30V 7A SO-8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

RQ6E030ATTCR

Opis: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ6E055BNTCR

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ6C050UNTR

Opis: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ6E035ATTCR

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ6C050BCTCR

Opis: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ6E085BNTCR

Opis: NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.