Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RQ6E055BNTCR

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

397943

Obraz RQ6E055BNTCR.

LAPIS Semiconductor

RQ6E055BNTCR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.255

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

RQ6E055BNTCR
Producent / marka

LAPIS Technology
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

1.RQ6E055BNTCR.pdf
2.RQ6E055BNTCR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

TSMT6 (SC-95)
Seria

-
RDS (Max) @ ID, Vgs

25 mOhm @ 5.5A, 10V
Strata mocy (max)

1.25W (Ta)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Inne nazwy

RQ6E055BNTCRTR
temperatura robocza

150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

355pF @ 15V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

8.6nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

30V
szczegółowy opis

N-Channel 30V 5.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

5.5A (Ta)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „RQ6E055BNTCR”.

CSD19538Q3AT

CSD19538Q3AT

Opis: MOSFET N-CH 100V 15A VSONP

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments

Na stanie

DMP3015LSS-13

Opis: MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

NTD20P06L-001

Opis: MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

RQ6P015SPTR

Opis: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ6C050BCTCR

Opis: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ6C050UNTR

Opis: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

NTGS3136PT1G

NTGS3136PT1G

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

RQ6E045BNTCR

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ6E085BNTCR

Opis: NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

IRF9640STRRPBF

Opis: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

RQ6E050ATTCR

Opis: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

DMT35M7LFV-7

DMT35M7LFV-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

SPI11N60C3XKSA1

SPI11N60C3XKSA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 11A TO-262

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

IRF6644TRPBF

Opis: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

IRFBA1404P

Opis: MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

RQ6E030ATTCR

Opis: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ6C065BCTCR

Opis: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

FDU8796

Opis: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

IPB065N15N3GE8187ATMA1

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na stanie

RQ6E035ATTCR

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.