Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RQ6C050UNTR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2297446Obraz RQ6C050UNTR.LAPIS Semiconductor

RQ6C050UNTR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.55
10+
$0.464
100+
$0.348
500+
$0.255
1000+
$0.197
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RQ6C050UNTR
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 5A TSMT
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.RQ6C050UNTR.pdf
    2.RQ6C050UNTR.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TSMT6 (SC-95)
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    30 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    1.25W (Ta)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Inne nazwy
    RQ6C050UNDKR
    RQ6C050UNTRDKR
    RQ6C050UNTRDKR-ND
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    900pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    12nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    5A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RQ6C050UNTR”.
IRFZ44NSTRRPBF

IRFZ44NSTRRPBF

Opis: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RQ6E035ATTCR

RQ6E035ATTCR

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FQI2P25TU

FQI2P25TU

Opis: MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRFIBF30G

IRFIBF30G

Opis: MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RQ6P015SPTR

RQ6P015SPTR

Opis: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RSD160P05TL

RSD160P05TL

Opis: MOSFET P-CH 45V 16A CPT3

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRFS7530TRL7PP

IRFS7530TRL7PP

Opis: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRF9Z34NLPBF

IRF9Z34NLPBF

Opis: MOSFET P-CH 55V 19A TO-262

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SQM25N15-52_GE3

SQM25N15-52_GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 25A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RQ6C050BCTCR

RQ6C050BCTCR

Opis: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ6E085BNTCR

RQ6E085BNTCR

Opis: NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRFPC50LC

IRFPC50LC

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RQ6C065BCTCR

RQ6C065BCTCR

Opis: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS6B14NT3G

NVMFS6B14NT3G

Opis: MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ6E055BNTCR

RQ6E055BNTCR

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ6E030ATTCR

RQ6E030ATTCR

Opis: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ6E045BNTCR

RQ6E045BNTCR

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ6E050ATTCR

RQ6E050ATTCR

Opis: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
TPH6R004PL,LQ

TPH6R004PL,LQ

Opis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.