Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIR418DP-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3352608Obraz SIR418DP-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR418DP-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.62
10+
$1.432
100+
$1.132
500+
$0.878
1000+
$0.693
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIR418DP-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIR418DP-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® SO-8
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    5 mOhm @ 20A, 10V
  • Strata mocy (max)
    39W (Tc)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    PowerPAK® SO-8
  • Inne nazwy
    SIR418DP-T1-GE3DKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2410pF @ 20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    75nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    40V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 40V 40A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    40A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIR418DP-T1-GE3”.
SIR412DP-T1-GE3

SIR412DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR432DP-T1-GE3

SIR432DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR402DP-T1-GE3

SIR402DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR404DP-T1-GE3

SIR404DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR436DP-T1-GE3

SIR436DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR408DP-T1-GE3

SIR408DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR401DP-T1-GE3

SIR401DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR403EDP-T1-GE3

SIR403EDP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR464DP-T1-GE3

SIR464DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR416DP-T1-GE3

SIR416DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR426DP-T1-GE3

SIR426DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR438DP-T1-GE3

SIR438DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR440DP-T1-GE3

SIR440DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR462DP-T1-GE3

SIR462DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR460DP-T1-GE3

SIR460DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR406DP-T1-GE3

SIR406DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR424DP-T1-GE3

SIR424DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.