Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIR410DP-T1-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

4911799

Obraz SIR410DP-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR410DP-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.499

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SIR410DP-T1-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SIR410DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

PowerPAK® SO-8
Seria

TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

4.8 mOhm @ 20A, 10V
Strata mocy (max)

4.2W (Ta), 36W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

PowerPAK® SO-8
Inne nazwy

SIR410DP-T1-GE3-ND
SIR410DP-T1-GE3TR
SIR410DPT1GE3
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

27 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

1600pF @ 10V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

41nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

20V
szczegółowy opis

N-Channel 20V 35A (Tc) 4.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SIR410DP-T1-GE3”.

SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR436DP-T1-GE3

SIR436DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR404DP-T1-GE3

SIR404DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR403EDP-T1-GE3

SIR403EDP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR401DP-T1-GE3

SIR401DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR333-A

Opis: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Producenci: Everlight Electronics

Na stanie

SIR383

Opis: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Producenci: Everlight Electronics

Na stanie

SIR406DP-T1-GE3

SIR406DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR412DP-T1-GE3

SIR412DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR383C

Opis: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Producenci: Everlight Electronics

Na stanie

SIR424DP-T1-GE3

SIR424DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR416DP-T1-GE3

SIR416DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR408DP-T1-GE3

SIR408DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR432DP-T1-GE3

SIR432DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR426DP-T1-GE3

SIR426DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR438DP-T1-GE3

SIR438DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR402DP-T1-GE3

SIR402DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIR330DP-T1-GE3

SIR330DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.