Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NVGS3130NT1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2850108

NVGS3130NT1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.496
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NVGS3130NT1G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NVGS3130NT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    6-TSOP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    24 mOhm @ 5.6A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    600mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SOT-23-6
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    30 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    935pF @ 16V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    20.3nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 20V 4.2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4.2A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NVGS3130NT1G”.
NVGS3441T1G

NVGS3441T1G

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.35A 6-TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVGS4141NT1G

NVGS4141NT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2SK3813-Z-E1-AZ

2SK3813-Z-E1-AZ

Opis: TRANSISTOR

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
NTMFS4962NFT3G

NTMFS4962NFT3G

Opis: MOSFET N-CH 30V SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ZXMP2120G4TA

ZXMP2120G4TA

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT-223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
BUK965R8-100E,118

BUK965R8-100E,118

Opis: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
NVGS3443T1G

NVGS3443T1G

Opis: MOSFET P-CH 20V 2A 6-TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVGS5120PT1G

NVGS5120PT1G

Opis: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SIHD2N80E-GE3

SIHD2N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NTMD4884NFR2G

NTMD4884NFR2G

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPD60R520C6BTMA1

IPD60R520C6BTMA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
NTD65N03R

NTD65N03R

Opis: MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7

Opis: FET 100V 1.7 MOHM D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS4C08NT3G

NTMFS4C08NT3G

Opis: MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
ZVNL120CSTOB

ZVNL120CSTOB

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7

Opis: MOSFET N-CH 60V SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
SQP120N06-6M7_GE3

SQP120N06-6M7_GE3

Opis: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFIZ14G

IRFIZ14G

Opis: MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NVGS4111PT1G

NVGS4111PT1G

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
GKI07301

GKI07301

Opis: MOSFET N-CH 75V 6A 8DFN

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.