Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIHD2N80E-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1595948Obraz SIHD2N80E-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHD2N80E-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.66
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIHD2N80E-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIHD2N80E-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D-PAK (TO-252AA)
  • Seria
    E
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.75 Ohm @ 1A, 10V
  • Strata mocy (max)
    62.5W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    SIHD2N80E-GE3TR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    315pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    19.6nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 800V 2.8A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    2.8A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIHD2N80E-GE3”.
SIHD240N60E-GE3

SIHD240N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD4N80E-GE3

SIHD4N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD6N65E-GE3

SIHD6N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 7A TO252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD14N60E-GE3

SIHD14N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Producenci: Vishay Siliconix
Na stanie
RFQ
SIHB6N65E-GE3

SIHB6N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB33N60ET1-GE3

SIHB33N60ET1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD3N50D-GE3

SIHD3N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD12N50E-GE3

SIHD12N50E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 500V DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB35N60E-GE3

SIHB35N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB33N60ET5-GE3

SIHB33N60ET5-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB8N50D-GE3

SIHB8N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD5N50D-E3

SIHD5N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Producenci: Vishay Siliconix
Na stanie
RFQ
SIHB33N60EF-GE3

SIHB33N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB33N60E-GE3

SIHB33N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD3N50D-E3

SIHD3N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.