Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIHD12N50E-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

3612021

Obraz SIHD12N50E-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHD12N50E-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

1+

$2.07

10+

$1.868

100+

$1.501

500+

$1.167

1000+

$0.967

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SIHD12N50E-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CHAN 500V DPAK
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SIHD12N50E-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (maks.)

±30V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

D-PAK (TO-252AA)
Seria

E
RDS (Max) @ ID, Vgs

380 mOhm @ 6A, 10V
Strata mocy (max)

114W (Tc)
Opakowania

Tube
Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Inne nazwy

SIHD12N50E-GE3CT
SIHD12N50E-GE3CT-ND
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TA)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

886pF @ 100V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

50nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

550V
szczegółowy opis

N-Channel 550V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

10.5A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SIHD12N50E-GE3”.

SIHB33N60EF-GE3

SIHB33N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHB6N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHB35N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHD5N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHB8N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHD14N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHB30N60AEL-GE3

SIHB30N60AEL-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHB30N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHB33N60ET5-GE3

SIHB33N60ET5-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHB33N60ET1-GE3

SIHB33N60ET1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHD3N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHD5N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHD4N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHD6N62E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHB30N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHD5N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Producenci: Vishay Siliconix

Na stanie

SIHD240N60E-GE3

SIHD240N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHD3N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHB33N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHD2N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.