Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIHD5N50D-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2357186Obraz SIHD5N50D-GE3.Vishay Siliconix

SIHD5N50D-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIHD5N50D-GE3
  • Producent / marka
    Vishay / Siliconix
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIHD5N50D-GE3.pdf
  • Napięcie - Test
    325pF @ 100V
  • Napięcie - Podział
    TO-252AA
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    5.3A (Tc)
  • Polaryzacja
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    SIHD5N50D-GE3TR
    SIHD5N50DGE3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    SIHD5N50D-GE3
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    20nC @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    5V @ 250µA
  • Cecha FET
    N-Channel
  • Rozszerzony opis
    N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    500V
  • Stosunek pojemności
    104W (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIHD5N50D-GE3”.
SIHD3N50D-E3

SIHD3N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD6N65ET1-GE3

SIHD6N65ET1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD2N80E-GE3

SIHD2N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD4N80E-GE3

SIHD4N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD6N65ET4-GE3

SIHD6N65ET4-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD3N50D-GE3

SIHD3N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Producenci: Vishay Siliconix
Na stanie
RFQ
SIHD6N80E-GE3

SIHD6N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V TO-252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD14N60E-GE3

SIHD14N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB8N50D-GE3

SIHB8N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB6N65E-GE3

SIHB6N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD7N60E-E3

SIHD7N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD240N60E-GE3

SIHD240N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD6N65E-GE3

SIHD6N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 7A TO252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD12N50E-GE3

SIHD12N50E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 500V DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD5N50D-E3

SIHD5N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD6N65ET5-GE3

SIHD6N65ET5-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.