Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDB1D7N10CL7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5499980

FDB1D7N10CL7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
800+
$8.456
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDB1D7N10CL7
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    FET 100V 1.7 MOHM D2PAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
    FDB1D7N10CL7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 700µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D²PAK (TO-263)
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.65 mOhm @ 100A, 15V
  • Strata mocy (max)
    250W (Tc)
  • Package / Case
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Status bezołowiowy
    Lead free
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    11600pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    163nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 15V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 268A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    268A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDB1D7N10CL7”.
FDB2552-F085

FDB2552-F085

Opis: MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB2532

FDB2532

Opis: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB13AN06A0

FDB13AN06A0

Opis: MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB14N30TM

FDB14N30TM

Opis: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB2532-F085

FDB2532-F085

Opis: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB2552

FDB2552

Opis: MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB2614

FDB2614

Opis: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB150N10

FDB150N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB15N50

FDB15N50

Opis: MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB12N50UTM_WS

FDB12N50UTM_WS

Opis: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB14AN06LA0-F085

FDB14AN06LA0-F085

Opis: MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB2570

FDB2570

Opis: MOSFET N-CH 150V 22A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB12N50FTM-WS

FDB12N50FTM-WS

Opis: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB24AN06LA0

FDB24AN06LA0

Opis: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB2572

FDB2572

Opis: MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB20AN06A0

FDB20AN06A0

Opis: MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB16AN08A0

FDB16AN08A0

Opis: MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB20N50F

FDB20N50F

Opis: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB12N50TM

FDB12N50TM

Opis: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB14AN06LA0

FDB14AN06LA0

Opis: MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.