Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NVGS4111PT1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
639054

NVGS4111PT1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.283
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NVGS4111PT1G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NVGS4111PT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    6-TSOP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    60 mOhm @ 3.7A, 10V
  • Strata mocy (max)
    630mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SOT-23-6
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    30 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    750pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 30V 3.7A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3.7A (Ta)

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NVGS4111PT1G”.
IPN95R3K7P7ATMA1

IPN95R3K7P7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPI26CN10N G

IPI26CN10N G

Opis: MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SQM120N04-1M7_GE3

SQM120N04-1M7_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
EPC2203

EPC2203

Opis: GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
NVGS3441T1G

NVGS3441T1G

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.35A 6-TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVGS5120PT1G

NVGS5120PT1G

Opis: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STP160N75F3

STP160N75F3

Opis: MOSFET N-CH 75V 120A TO-220

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
STD2N105K5

STD2N105K5

Opis: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IPA80R1K4CEXKSA2

IPA80R1K4CEXKSA2

Opis: MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
AUIRFS4010-7P

AUIRFS4010-7P

Opis: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
TPH6R004PL,LQ

TPH6R004PL,LQ

Opis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
IXFM67N10

IXFM67N10

Opis: POWER MOSFET TO-3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
STD46N6F7

STD46N6F7

Opis: MOSFET N-CH 60V 15A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
SI1058X-T1-E3

SI1058X-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NVGS3130NT1G

NVGS3130NT1G

Opis: MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVGS4141NT1G

NVGS4141NT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
PMN52XPX

PMN52XPX

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
IRF7202TR

IRF7202TR

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
NVGS3443T1G

NVGS3443T1G

Opis: MOSFET P-CH 20V 2A 6-TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SIR642DP-T1-GE3

SIR642DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.