Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > NVGS5120PT1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5391282

NVGS5120PT1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.09
10+
$0.954
100+
$0.736
500+
$0.545
1000+
$0.436
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    NVGS5120PT1G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    NVGS5120PT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    6-TSOP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    111 mOhm @ 2.9A, 10V
  • Strata mocy (max)
    600mW (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    SOT-23-6
  • Inne nazwy
    NVGS5120PT1GOSCT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    35 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    942pF @ 30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    18.1nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 60V 1.8A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.8A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „NVGS5120PT1G”.
CSD23203W

CSD23203W

Opis: MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
RFQ
STS7N3LLH6

STS7N3LLH6

Opis: MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
TN0110N3-G

TN0110N3-G

Opis: MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3

Producenci: Micrel / Microchip Technology
Na stanie
RFQ
IRFR7540TRLPBF

IRFR7540TRLPBF

Opis: MOSFET N-CH 60V 90A

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRFHM8228TRPBF

IRFHM8228TRPBF

Opis: MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRF820ALPBF

IRF820ALPBF

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NVGS3443T1G

NVGS3443T1G

Opis: MOSFET P-CH 20V 2A 6-TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQB34P10TM

FQB34P10TM

Opis: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVGS4111PT1G

NVGS4111PT1G

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RFP2N10L

RFP2N10L

Opis: MOSFET N-CH 100V 2A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SPP15P10P

SPP15P10P

Opis: MOSFET P-CH 100V 15A TO-220AB

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IXFI7N80P

IXFI7N80P

Opis: MOSFET N-CH 800V 7A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
NVGS3441T1G

NVGS3441T1G

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.35A 6-TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXTH6N120

IXTH6N120

Opis: MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247AD

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
STF10LN80K5

STF10LN80K5

Opis: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
BMS3003-1E

BMS3003-1E

Opis: MOSFET P-CH 60V 78A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVGS4141NT1G

NVGS4141NT1G

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVGS3130NT1G

NVGS3130NT1G

Opis: MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRLU7833-701PBF

IRLU7833-701PBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 140A IPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
PSMN5R0-30YL,115

PSMN5R0-30YL,115

Opis: MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.