Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TPN4R712MD,L1Q
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
905291Obraz TPN4R712MD,L1Q.Toshiba Semiconductor and Storage

TPN4R712MD,L1Q

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
5000+
$0.303
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TPN4R712MD,L1Q
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    TPN4R712MD,L1Q.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Seria
    U-MOSVI
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    4.7 mOhm @ 18A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    42W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerVDFN
  • Inne nazwy
    TPN4R712MD,L1Q(M
    TPN4R712MDL1QTR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4300pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    65nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 20V 36A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    36A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TPN4R712MD,L1Q”.
TPN30008NH,LQ

TPN30008NH,LQ

Opis: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN3300ANH,LQ

TPN3300ANH,LQ

Opis: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN22006NH,LQ

TPN22006NH,LQ

Opis: MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN3R704PL,L1Q

TPN3R704PL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN2R304PL,L1Q

TPN2R304PL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN4R203NC,L1Q

TPN4R203NC,L1Q

Opis: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN3021

TPN3021

Opis: OVP TRIPOLAR NETWORK 28V 8-SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
TPN5900CNH,L1Q

TPN5900CNH,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN3021RL

TPN3021RL

Opis: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
TPN7R506NH,L1Q

TPN7R506NH,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN2R703NL,L1Q

TPN2R703NL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN8R903NL,LQ

TPN8R903NL,LQ

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN2R503NC,L1Q

TPN2R503NC,L1Q

Opis: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN2R203NC,L1Q

TPN2R203NC,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN4R303NL,L1Q

TPN4R303NL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN1R603PL,L1Q

TPN1R603PL,L1Q

Opis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN6R303NC,LQ

TPN6R303NC,LQ

Opis: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN6R003NL,LQ

TPN6R003NL,LQ

Opis: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN2010FNH,L1Q

TPN2010FNH,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN2R805PL,L1Q

TPN2R805PL,L1Q

Opis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.